[8p-E301-1~22] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

17:45 〜 18:00

[8p-E301-20] 熱刺激電流法を用いたMg/N共注入β-Ga₂O₃における深い準位の評価

〇高根 倫史¹、山下 侑佑¹、Fenfen Fenda Florena²、宮本 広信²、佐々木 公平²、菊田 大悟¹ (1.豊田中研、2.ノベルクリスタルテクノロジー)

キーワード：

酸化ガリウム、電流ブロック層、熱刺激電流

熱刺激電流（TSC）法を用いて、Mg/N共注入β-Ga₂O₃CBL中の深い準位を評価した。