[8p-E301-1~22] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

14:30 〜 14:45

[8p-E301-9] ミストCVD法による α-Cr2O3テンプレート上α-Ga2O3成膜の溶液条件検討

〇飯田 隆真¹、肖 世玉²、村上 和仁²、照喜名 朝人¹、西尾 宗真¹、中鉢 陽向¹、尾沼 猛儀¹、本田 徹¹、今井 克宏²、冨田 崇弘²、山口 智広¹ (1.工学院大学、2.NGK(株))

キーワード：

α型酸化ガリウム、Mist CVD