講演情報
[8p-E308-1]SiC 昇華法成長時における結晶径増加時の応力・転位密度の傾斜角依存性
〇柿本 浩一1、中野 智2 (1.東北大 NICHe、2.九大 応力研)
キーワード：
半導体、SiC、シミュレーション
SiC単結晶は、パワーデバイス用結晶として実用化の段階に入ってきている。SiC単 結晶を用いてデバイス用のエピタキシャル成長層を作成する場合、成長層のポリタイプの制御の ために、(0001)基板から[-1100]方向に4度傾斜する方法が採用されている。本報告では、この傾斜 により基板中の応力と転位密度の分布を、特に結晶径の増加を伴う場合において数値解析により 検討した。