[8p-E308-1~11] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥 | 2026年第87回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)15 結晶工学：15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[8p-E308-1~11]15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

2026年9月8日(火) 13:30 〜 16:30

E308 (総合教育棟 E棟)

13:30 〜 13:45

[8p-E308-1]SiC 昇華法成長時における結晶径増加時の応力・転位密度の傾斜角依存性

〇柿本浩一¹、中野智² (1.東北大 NICHe、2.九大　応力研)

13:45 〜 14:00

[8p-E308-2]赤外光弾性法による応力印加された(001)n-InP単結晶基板の観察

〇松尾泰弘¹、奥友希¹、川畑直之¹、中村直幹¹、福澤理行² (1.三菱電機(株)、2.京工繊大院)

14:00 〜 14:15奨励賞エントリー

[8p-E308-3]断面TEM観察および顕微ラマンマッピングによる(110)Si基板上SiGe薄膜のハッチ形成と歪み緩和挙動の評価

〇伊藤佑太^1,2、伊波希宇^1,3、臼田宏冶⁴、熊谷直人^3,5、入沢寿史^3,5、小椋厚志^1,4 (1.明治大理工、2.学振特別研究員DC、3.産総研SFRC、4.明大MREL、5.LSTC)

14:15 〜 14:30

[8p-E308-4][100]および[110]CZ-Si単結晶育成における熱ショック転位挙動の比較

〇塚田翔馬¹、斉藤広幸²、松村尚^1,2、干川岳志¹、太子敏則¹ (1.信大工、2.グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社)

14:30 〜 14:45奨励賞エントリー

[8p-E308-5]Si (100) および (110) ウェーハの急速熱酸化におけるボイド欠陥消滅挙動 (Ⅱ)

〇(D)楠木琢也^1,2、須藤治生²、早川兼²、小林裕真²、松村尚²、末岡浩治³ (1.岡山県大院情報系工、2.グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社、3.岡山県大情報工)

14:45 〜 15:00

[8p-E308-6]RTPウェーハに導入したBMD析出核のゲッタリング効果に関する理論的研究

〇岩城浩也^1,2、別宮響¹、竹田伊織¹、須藤治生²、早川兼²、神山栄治²、末岡浩治³ (1.岡山県大院情報系工、2.グローバルウェーハズ・ジャパン（株）、3.岡山県大情報工)

15:00 〜 15:15

[8p-E308-7]数値シミュレーションによる高ドーズ炭化水素分子イオン注入 Si ウェーハの再結晶挙動解析

〇栗田一成¹、近藤博基¹ (1.九州大学)

15:15 〜 15:30

[8p-E308-8]SbドープCZ-Si成長におけるSb揮発の平衡・速度論モデルの比較

〇高木健太郎¹、西澤伸一²、末若良太¹ (1.株式会社SUMCO、2.九州大学)

15:45 〜 16:00

[8p-E308-9]シリコン結晶基板の品質と点欠陥: ルネサンス (16) 点欠陥に対する圧力と内部熱応力効果

〇井上直久¹、川又修一¹、奥田修一¹ (1.大阪公大放射線研究センター)

16:00 〜 16:15

[8p-E308-10]シリコン結晶の高感度赤外吸収と赤外欠陥動力学: ルネサンス (29)
シャローサーマルドナー高温型NO/フォトルミでは窒素濃度も測れない