講演情報
[8p-E308-2]赤外光弾性法による応力印加された(001)n-InP単結晶基板の観察
〇松尾 泰弘1、奥 友希1、川畑 直之1、中村 直幹1、福澤 理行2 (1.三菱電機(株)、2.京工繊大院)
キーワード：
InP、赤外光弾性法
デバイスプロセス中でのInP単結晶基板への局所的な応力印加応力印加後の結晶のひずみ状態の観察を赤外光弾性法によって試みた。結果、応力印加によって形成されたInPの塑性変形からの信号を観測することができた。これにより、同法はデバイスプロセス中におけるウエハのひずみ分布評価への適応可能性を有していることがわかった。