[8p-E308-1~11] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

14:15 〜 14:30

[8p-E308-4] [100]および[110]CZ-Si単結晶育成における熱ショック転位挙動の比較

〇塚田 翔馬¹、斉藤 広幸²、松村 尚^1,2、干川 岳志¹、太子 敏則¹ (1.信大工、2.グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社)

キーワード：

シリコン、転位