講演情報
[8p-N101-11]新規バッファー層技術を用いた縦型GaN on Si作製
〇川村 史朗1、尾沼 猛儀2、井村 将隆1、三石 和貴1 (1.物材機構、2.工学院大)
キーワード：
GaNオンSi、縦型デバイス、トランジスタ
AIサーバーや電気自動車向けに、大電流・大電圧動作が可能な縦型GaN on Siデバイスの開発が期待されています。本研究では、低コストなSi基板上への縦型デバイス実現に向け、新たなアモルファスライク中間層（AL-IL）形成技術を開発しました。Si基板上に極薄の金属シリサイド層等を介してGaN膜を良好にエピタキシャル成長させることに成功し、縦方向において低抵抗かつオーミックな電気特性を確認しました。