[8p-N101-1~14] 15.4 III-V族窒化物結晶

16:30 〜 16:45奨励賞エントリー

[8p-N101-12] アモルファスライク中間層を用いたGaN on Si成長時の初期成長層の検討

〇横井 大悟¹、川村 史朗²、山田 直臣¹ (1.中部大院工、2.物材機構)

キーワード：

GaN-on-Si、スパッタリング、縦型デバイス