[8p-N101-1~14] 15.4 III-V族窒化物結晶

17:00 〜 17:15

[8p-N101-14] InAlN 熱電薄膜の膜厚増加時のクラックフリー化

〇堺 悠眞¹、荒木 努²、出浦 桃子^1,3 (1.早大理工、2.立命館大理工、3.立命館大R-GIRO)

キーワード：

InAlN、熱電薄膜、RF-MBE