[8p-N101-1~14] 15.4 III-V族窒化物結晶

13:45 〜 14:00

[8p-N101-2] スパッタ法を用いた再成長縮退 GaN(d-GaN) オーミックコンタクト InAlN/GaN HEMT の作製

〇神尾 麻貴¹、藤岡 洋¹ (1.東大生研)

キーワード：

再成長コンタクト、縮退窒化ガリウム、高電子移動度トランジスタ