2026年第87回応用物理学会秋季学術講演会
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13:45 〜 14:00

[8p-N101-2]スパッタ法を用いた再成長縮退 GaN(d-GaN) オーミックコンタクト InAlN/GaN HEMT の作製

〇神尾 麻貴1、藤岡 洋1 (1.東大生研)

キーワード：

再成長コンタクト、縮退窒化ガリウム、高電子移動度トランジスタ

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