講演情報
[8p-N101-4]GaInN系赤色LEDの高効率化に向けたp-GaNの低温成長に関する検討
〇(M1)二宮 立輝1、大場 勇輝1、榊原 愛1、木下 実乃里1、難波江 宏一2、鈴木 敦志2、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1 (1.名城大理工、2.E&Eエボリューション)
キーワード：
GaInN系赤色LED、p-GaN、低温成長
窒化物LEDの長波長化に伴うMQWの熱劣化を防ぐため、p-GaNの低温成長を検討した。800℃では電気特性が著しく悪化したが、TEGに変更することで、抵抗率が約1/10、キャリア濃度が約2倍に改善した。これは低温化に伴う炭素混入が抑制された可能性が推察される。一方で、表面平坦性や870℃・840℃と比較したときの電気特性のわずかな悪化といった課題は残るが、赤色LED作製への適用可能性が示された。