セッション詳細

[8p-N102-1~6]量子ビームの半導体プロセス・評価技術への応用

2026年9月8日(火) 13:30 〜 16:50
N102 (総合教育棟 N棟)
座長:西 竜治(福井工大)、 小川 真一(理研)

[8p-N102-1]SPring-8-IIが拓く先端半導体解析技術の新展開

〇初井 宇記1 (1.理研)
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[8p-N102-2]ヘリウムイオン顕微鏡技術を用いた高温超伝導体のナノ加工と量子デバイスへの応用

〇三澤 哲郎1 (1.産総研物理計測)
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[8p-N102-3]GaNパワー半導体応用に向けたGaN(0001)へのMgのチャネリングイオン注入

〇須山 篤志1、南川 英輝1、青木 正彦1、横田 一広1 (1.株式会社イオンテクノセンター)
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[8p-N102-4]インレンズ型FE-SEMを用いた半導体断面観察における高品質データ取得の自動化および効率化

〇田中 駿也1、福地 佑介2、砂押 毅志2、切畑 大二2、岡田 聡2 (1.日立製作所、2.日立ハイテク)
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[8p-N102-5]電子・イオンビームを用いた微細加工装置の最前線

〇杉原 達記1 (1.(株)エリオニクス)
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[8p-N102-6]半導体製造を支える電子線検査計測技術

〇岩淵 裕子1 (1.株式会社日立ハイテク)
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