講演情報
[8p-PB3-11]HfO2/SiO2基板上におけるMoS2の選択的成長挙動
〇(M1)寺坂 祐人1、蓮沼 隆1 (1.筑波大数理物質)
キーワード：
二硫化モリブデン、化学気相成長、選択的成長
MoO3およびS粉末を前駆体とする熱CVDにより、HfO2/SiO2基板上でのMoS2成長挙動を調べた。MoS2が生成した条件では、SiO2領域よりHfO2領域にMoS2および副生成物が選択的に形成され、HfO2表面がMo含有種の吸着または核生成を促進する可能性が示された。一方、生成物は明瞭な三角形ドメインではなく、不定形・粒状かつ多層的であり、面内成長の促進と積層方向成長の抑制が課題である。