セッション詳細
[8p-PB3-1~46]17 ナノカーボン・二次元材料(ポスター)
2026年9月8日(火) 16:00 〜 17:30
PB3 (第2体育館)
[8p-PB3-2]金属凝集法を用いて形成されたサファイア基板上転写フリーグラフェンにおけるオーミック電極の検討
〇(M1)俣野 凌太1、笹田 尚志1、久保 俊晴1、三好 実人1、南條 拓真1、江川 孝志1 (1.名工大工)
[8p-PB3-3]CVD 法によるサファイア基板上リボン状グラフェン成長の面方位依存性
〇(M2)大原 佑希1、福井 優太1、小田 昂到1、川合 良知1、日比野 浩樹1 (1.関学大理工)
[8p-PB3-5]静電スプレー堆積(ESD)法によるSnSナノスケール薄膜の堆積とSnS/Al2S3/Al MIS構造の検討
〇田中 水紗1、松林 芳樹1、柴田 圭亮1、田中 哉多1、杉山 睦1,2 (1.東理大 創域理工、2.東理大 総研)
[8p-PB3-8]化学気相成長法による六方晶窒化ホウ素多層薄膜の合成
〇田上 翔太1、松永 貴子1、大塚 秀美1、内田 愛佳2、吾郷 浩樹2,3、河原 憲治1 (1.(同)二次元材料研究所、2.九大院総理工、3.九大半導体セ)
[8p-PB3-10]Fe-Niホイルの単結晶化によるCVD-hBNの均一性向上効果
〇下村 優依1、小子内 行羅1、深町 悟1、吾郷 浩樹1,2 (1.九大院総理工、2.九大半導体センター)
[8p-PB3-12]Growth of MoS2 Thin Films Using the Sol-Gel Method and Their Characterisation
〇(M2)LIU HAOTIAN3, Tsuyoshi Takaoka1, Md Iftekharul Alam2, Akinobu Teramoto2, Md Arafat Ali3, J. Rika Simon1 (1.Tohoku Univ. IMRAM, 2.Hiroshima Univ. RISE, 3.Tohoku Univ. Sci.)
[8p-PB3-13]Mo₆Te₆からMoTe₂への転移における形成相の冷却条件依存性
〇(M2)中野 颯1、山田 樹1、斎藤 慎太朗1、矢田 浩恭1、上野 啓司1、リム ホンエン1 (1.埼玉大院理工)
[8p-PB3-15]硫黄液に浸したMoO3薄膜の真空加熱により作製したMoS2のラマン分光法による評価
〇菊池 健斗1、中根 晃紀1、井上 和志1、有賀 ゆい1、末岡 和久1、八田 英嗣1、スバギョ アグス1 (1.北大院情報科学)
[8p-PB3-16]硫化処理法により作製したMoS₂の電気伝導特性の評価
〇有賀 ゆい1、中根 晃紀1、菊池 健斗1、井上 和志1、八田 英嗣1、末岡 和久1、スバギョ アグス1 (1.北大院情報科学)
[8p-PB3-17]ミストCVDにより成膜したZrOx上へのMoS2薄膜直接成長
〇松岡 友希1、クドゥス アブドゥル1,2、上野 啓司3、リム ホンエン3、白井 肇4、毛利 真一郎1 (1.立命館大理工、2.立命館大R-GIRO、3.埼玉大理、4.神奈川大)
[8p-PB3-19]PVAラミネーター転写グラフェンの微細加工による移動度の向上
〇(M2C)光安 孝太朗1、北崎 訓1、小川 友以2、鈴木 恭一1 (1.福岡工業大学、2.NTT物性基礎研)
[8p-PB3-22]グラファイトへのナノギャップ導入プロセスの開発とSERS特性評価
〇寺田 祐晟1、Kumar Vimal2、柳澤 圭一2、坂本 文孝2、根岸 良太1,2 (1.東洋大学大学院、2.BN研究センター)
[8p-PB3-24]化学気相成長法を用いたバルクSnSの結晶性および輸送特性評価
〇澤田 真拓1、関根 大輝1,2、松井 典子1、山本 壮太1、鈴木 真粧子1、石原 淳1、好田 誠1,2,3,4 (1.東北大院工、2.量研QUARC、3.東北大AIMR、4.東北大CSIS)
[8p-PB3-35]ねじれ二層グラフェンにおける通信波長帯での光熱電応答
〇鮎澤 駿生1,2、吉永 悠馬1,2、板谷 育茂1,2、小澤 大知1、北浦 良1、渡邊 賢司1、谷口 尚1、森山 悟士1,2、岩﨑 拓哉1 (1.NIMS、2.東京電機大)
[8p-PB3-39]2層MoS2におけるバレーホール効果による非局所電圧の温度依存特性
〇小林 尊1、中村 優友1、中山 祐輔1、クリューガー ピーター1、フェリー デイビッド2、バード ジョナサン1,3、青木 伸之1 (1.千葉大物質、2.アリゾナ州立大、3.バッファロー大)
[8p-PB3-40]MoTe2を用いた閾値スイッチングデバイスのパルス耐久性評価
〇小林 圭輔1,2、宇澤 拳太郎1,2、早川 竜馬2、岩﨑 拓哉2、若山 裕1,2、森山 悟士1,2 (1.東京電機大、2.NIMS)
[8p-PB3-41]Microfluidic platform enabled by atomically thin MoS2 field effect transistor for sensitive dopamine detection.
〇Tsuyoshi Takaoka1, Md Nasiruddin1,2 (1.Tohoku Univ., 2.Rajshahi Univ.)
[8p-PB3-42]Magnetotransport and Interfacial Properties of Dopant Molecule–2D Material Hybrids
〇Mao Xu1, Chen Li1, Daisuke Kiriya1 (1.Univ. of Tokyo)
[8p-PB3-43]折り畳みMoS2ソース/ドレイン構造を有する単層MoS2チャネルトランジスタの作製と評価
〇金田 賢彦1、西野 隆太郎1、川那子 高暢1、張 文馨1、陳 家驄1、入沢 寿史1、岡田 直也1 (1.産総研 先端半導体研究センター)
[8p-PB3-44]分子鋳型MoS2によるグルタミン酸ナトリウムの電気応答の観測
〇高橋 彩乃1、門脇 蒼奈2、横倉 聖也1,2、和泉 廣樹1,2、島田 敏宏1,2 (1.北大院総化、2.北大工)
[8p-PB3-46]Electrochemically Intercalated Bulk WS2 Metasurfaces for Gate-Tunable Nanophotonics
〇(P)Matej Sebek1, Daisuke Kiriya1 (1.University of Tokyo)
