[8p-PB3-1~46] 17 ナノカーボン・二次元材料（ポスター） | 2026年第87回応用物理学会秋季学術講演会

〇(M2)LIU HAOTIAN³, Tsuyoshi Takaoka¹, Md Iftekharul Alam², Akinobu Teramoto², Md Arafat Ali³, J. Rika Simon¹ (1.Tohoku Univ. IMRAM, 2.Hiroshima Univ. RISE, 3.Tohoku Univ. Sci.)

[8p-PB3-13]Mo₆Te₆からMoTe₂への転移における形成相の冷却条件依存性

〇(M2)中野颯¹、山田樹¹、斎藤慎太朗¹、矢田浩恭¹、上野啓司¹、リムホンエン¹ (1.埼玉大院理工)

[8p-PB3-14]ナノ空間における積層MoS₂/WS₂ヘテロ構造の形成

〇(M1)矢田浩恭¹、中野颯¹、上野啓司¹、リムホンエン¹ (1.埼玉大院理工)

[8p-PB3-15]硫黄液に浸したMoO₃薄膜の真空加熱により作製したMoS_²のラマン分光法による評価

〇菊池健斗¹、中根晃紀¹、井上和志¹、有賀ゆい¹、末岡和久¹、八田英嗣¹、スバギョアグス¹ (1.北大院情報科学)

[8p-PB3-16]硫化処理法により作製したMoS₂の電気伝導特性の評価

〇有賀ゆい¹、中根晃紀¹、菊池健斗¹、井上和志¹、八田英嗣¹、末岡和久¹、スバギョアグス¹ (1.北大院情報科学)

[8p-PB3-17]ミストCVDにより成膜したZrO_x上へのMoS₂薄膜直接成長

〇松岡友希¹、クドゥスアブドゥル^1,2、上野啓司³、リムホンエン³、白井肇⁴、毛利真一郎¹ (1.立命館大理工、2.立命館大R-GIRO、3.埼玉大理、4.神奈川大)

[8p-PB3-18]画像読出し回路を応用したグラフェンデバイスの多画素一括自動評価

〇福島昌一郎¹、嶋谷政彰¹、岩川学¹、小川新平¹ (1.三菱電機（株）)

[8p-PB3-19]PVAラミネーター転写グラフェンの微細加工による移動度の向上

〇(M2C)光安孝太朗¹、北崎訓¹、小川友以²、鈴木恭一¹ (1.福岡工業大学、2.NTT物性基礎研)

[8p-PB3-20]h-BN二重障壁を導入したグラフェンナノリボンにおける共鳴トンネル伝導特性の数値解析

〇坂本昇一¹ (1.成蹊大理工)

[8p-PB3-21]円形欠陥を有するマイクログラフェンの電気インピーダンストモグラフィ

〇(M1)桑名竜之介¹、木村勇希²、生野孝²、久保理¹ (1.岐大院自然、2.東京理科大)

[8p-PB3-22]グラファイトへのナノギャップ導入プロセスの開発とSERS特性評価

〇寺田祐晟¹、Kumar Vimal²、柳澤圭一²、坂本文孝²、根岸良太^1,2 (1.東洋大学大学院、2.BN研究センター)

[8p-PB3-23]単一光子源応用に向けた二次元物質上に堆積させた発光分子の分光

〇四谷祥太郎¹、渡邊健司¹、谷口尚¹、小澤大知¹、北浦良¹ (1.NIMS)

[8p-PB3-24]化学気相成長法を用いたバルクSnSの結晶性および輸送特性評価

〇澤田真拓¹、関根大輝^1,2、松井典子¹、山本壮太¹、鈴木真粧子¹、石原淳¹、好田誠^1,2,3,4 (1.東北大院工、2.量研QUARC、3.東北大AIMR、4.東北大CSIS)

[8p-PB3-25]典型元素ドーピングによる半導体遷移金属ダイカルコゲナイドのキャリア制御

〇(M1)若林采佳¹、山口頌平¹、リムホンエン¹、上野啓司¹ (1.埼玉大院理工)

[8p-PB3-26]モノ過硫酸化化合物によるMoS₂のエッチングに関する検討

〇(M1)社本豊茂¹、鈴木啄也¹、桐谷乃輔¹ (1.東大院総合)

[8p-PB3-27]単層WSe₂における励起子拡散の温度特性

〇(M1)小林寿幸¹、出原渉²、松田一成²、酒井優¹ (1.山梨大工、2.京大エネ研)

[8p-PB3-28]高分子基板上MoS₂トランジスタのキャリア輸送特性評価

〇陳柏翰¹、Sebek Matej¹、桐谷乃輔¹ (1.東大院総合)

[8p-PB3-29]アミン系分子ドーピングによる単層 MoS₂微細チャネル表面の形態評価

〇(DC)小林尭史¹、桐谷乃輔¹ (1.東大院総合)

[8p-PB3-30]二次元材料MoX₂(X=S, Se, Te)を用いたCold Metal MOSFETの材料設計

〇北岡幸恵¹、植田暁子¹、今村裕志¹ (1.産総研)

[8p-PB3-31]水熱合成における圧力によるMoS₂の相変化

〇丹下龍乃介¹、横倉聖也^1,2、和泉廣樹^1,2、島田敏宏^1,2 (1.北大院総化、2.北大院工)

[8p-PB3-32]層状InSeバルク単結晶および薄膜のJanus化

〇(M1)村松駿¹、山口頌平¹、リムホンエン¹、上野啓司¹ (1.埼玉大院理工)

[8p-PB3-33]メチル化ゲルマナンを用いた金属-半導体接合の光起電力特性

〇江尻佳紀¹、加藤大智¹、西野輝¹、久保理¹ (1.岐阜大院自然)

[8p-PB3-34]グラフェン/hBNを用いた波長可変ハイブリッドメタサーフェス

〇岩川学¹、福島昌一郎¹、嶋谷政彰¹、小川新平¹ (1.三菱電機(株))

[8p-PB3-35]ねじれ二層グラフェンにおける通信波長帯での光熱電応答

〇鮎澤駿生^1,2、吉永悠馬^1,2、板谷育茂^1,2、小澤大知¹、北浦良¹、渡邊賢司¹、谷口尚¹、森山悟士^1,2、岩﨑拓哉¹ (1.NIMS、2.東京電機大)

[8p-PB3-36]気相還元グラフェン成型膜を触媒としたGe表面の選択エッチング

〇橋本圭人¹、桑田直希¹、稲垣耕司¹、有馬健太¹ (1.阪大院工)

[8p-PB3-37]異なる層数のMoS₂表面におけるCs吸着状態と光支援熱電子放出特性の評価

〇松嶋力哉¹、荻野明久¹ (1.静大院工)

[8p-PB3-38]Agを内包したVSe₂を用いた抵抗変化メモリの開発

〇西埜植亮汰¹、中村優太¹、稲田貢¹、上野啓司²、山本真人¹ (1.関西大院理工、2.埼玉大院理工)

[8p-PB3-39]2層MoS₂におけるバレーホール効果による非局所電圧の温度依存特性

〇小林尊¹、中村優友¹、中山祐輔¹、クリューガーピーター¹、フェリーデイビッド²、バードジョナサン^1,3、青木伸之¹ (1.千葉大物質、2.アリゾナ州立大、3.バッファロー大)

[8p-PB3-40]MoTe₂を用いた閾値スイッチングデバイスのパルス耐久性評価

〇小林圭輔^1,2、宇澤拳太郎^1,2、早川竜馬²、岩﨑拓哉²、若山裕^1,2、森山悟士^1,2 (1.東京電機大、2.NIMS)

英語発表

[8p-PB3-41]Microfluidic platform enabled by atomically thin MoS₂ field effect transistor for sensitive dopamine detection.

〇Tsuyoshi Takaoka¹, Md Nasiruddin^1,2 (1.Tohoku Univ., 2.Rajshahi Univ.)

英語発表

[8p-PB3-42]Magnetotransport and Interfacial Properties of Dopant Molecule–2D Material Hybrids

〇Mao Xu¹, Chen Li¹, Daisuke Kiriya¹ (1.Univ. of Tokyo)

[8p-PB3-43]折り畳みMoS₂ソース／ドレイン構造を有する単層MoS₂チャネルトランジスタの作製と評価

〇金田賢彦¹、西野隆太郎¹、川那子高暢¹、張文馨¹、陳家驄¹、入沢寿史¹、岡田直也¹ (1.産総研先端半導体研究センター)

[8p-PB3-44]分子鋳型MoS₂によるグルタミン酸ナトリウムの電気応答の観測

〇高橋彩乃¹、門脇蒼奈²、横倉聖也^1,2、和泉廣樹^1,2、島田敏宏^1,2 (1.北大院総化、2.北大工)

[8p-PB3-45]黒リン電荷トラップメモリの物理リザバー性能評価

〇(M2)山本健嗣¹、稲田貢¹、山本真人¹ (1.関西大院理工)

英語発表

[8p-PB3-46]Electrochemically Intercalated Bulk WS2 Metasurfaces for Gate-Tunable Nanophotonics

〇(P)Matej Sebek¹, Daisuke Kiriya¹ (1.University of Tokyo)

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