講演情報
[8p-PB3-16]硫化処理法により作製したMoS₂の電気伝導特性の評価
〇有賀 ゆい1、中根 晃紀1、菊池 健斗1、井上 和志1、八田 英嗣1、末岡 和久1、スバギョ アグス1 (1.北大院情報科学)
キーワード：
二硫化モリブデン、二次元材料
本研究は、予め硫黄膜を形成したMoO3膜の真空加熱による直接硫化処理法で形成したMoS2の電気伝導特性を評価する目的で、MoS2パターン上にTLM電極を作製した。Tiをソース・ドレイン電極、Si基板をバックゲート電極として用いた測定を行った結果、トランジスタ特性を示した一部を除き、多くのデバイスで電流値が小さいことが分かった。これはTi電極との大きな接合抵抗に起因する課題であると考えられる。