講演情報
[8p-PB3-17]ミストCVDにより成膜したZrOx上へのMoS2薄膜直接成長
〇松岡 友希1、クドゥス アブドゥル1,2、上野 啓司3、リム ホンエン3、白井 肇4、毛利 真一郎1 (1.立命館大理工、2.立命館大R-GIRO、3.埼玉大理、4.神奈川大)
キーワード：
MoS2、高誘電率絶縁膜、CVD
二次元半導体材料であるMoS2は、次世代電子デバイスへの応用が期待されている。本研究では、high-k絶縁膜上にMoS2を直接成長し、その特性評価を行った。XPS測定によりMoおよびSに由来するピークを確認し、MoS2の形成を評価した。また、PL測定では成長前の基板には見られなかった1.86 eV付近の明瞭な発光ピークが観測された。これらの結果から、high-k絶縁膜上へのMoS2形成およびその光学活性を確認したので報告する。