講演情報
[8p-PB3-24]化学気相成長法を用いたバルクSnSの結晶性および輸送特性評価
〇澤田 真拓1、関根 大輝1,2、松井 典子1、山本 壮太1、鈴木 真粧子1、石原 淳1、好田 誠1,2,3,4 (1.東北大院工、2.量研QUARC、3.東北大AIMR、4.東北大CSIS)
キーワード：
二次元材料、化学気相成長、輸送特性
化学気相成長（CVD）法によるバルクSnSを用い、微細加工により4端子デバイスを作製した。2端子法およびvan der Pauw法による電気測定から、電極のオーミック接触状態と結晶本来の抵抗率を算出することで、CVD成長に伴う粒界散乱の抑制やキャリア移動度の向上など、優れた結晶性が電気輸送特性に与える影響を評価した。