講演情報
[8p-PB3-25]典型元素ドーピングによる半導体遷移金属ダイカルコゲナイドのキャリア制御
〇(M1)若林 采佳1、山口 頌平1、リム ホンエン1、上野 啓司1 (1.埼玉大院理工)
キーワード：
二次元層状物質、遷移金属ダイカルコゲナイド、電界効果トランジスタ
本研究では、典型元素InによるMoS2の置換ドーピングを行い、キャリア制御を検討した。CVT法でMo1-xInxS2単結晶を作製し、FET特性を評価した。XPSによりInの導入を確認し、ラマン測定から結晶構造が保持されていることを示した。3 ％In添加試料ではp型半導体挙動を示し、出力特性からショットキー障壁の低減も示唆された。以上より、Inドーピングは結晶性を維持したままMoS2のフェルミ準位制御に有効であることが分かった。