[8p-PB3-1~46] 17 ナノカーボン・二次元材料（ポスター）

[8p-PB3-30] 二次元材料MoX₂(X=S, Se, Te)を用いたCold Metal MOSFETの材料設計

〇北岡 幸恵¹、植田 暁子¹、今村 裕志¹ (1.産総研)

キーワード：

遷移金属ダイカルコゲナイド、第一原理計算、MOSFET