講演情報
[8p-PB3-32]層状InSeバルク単結晶および薄膜のJanus化
〇(M1)村松 駿1、山口 頌平1、リム ホン エン1、上野 啓司1 (1.埼玉大院理工)
キーワード：
ヤヌス構造、セレン化インジウム、二次元層状物質
層状InSe最表面のSeをS置換することでJanus構造の形成を試みた。InSeバルクおよび数層膜をS蒸気中でアニールし、Raman分光測定と第一原理計算との比較により構造変化を評価した。その結果、S置換に起因すると考えられるピークシフトおよび新規ピークが確認され、最表層の一部がS置換された可能性が示された。一方、290 ℃以上ではα-In2S3由来のピークが観測され、過硫化が生じることが示唆された。現在はMBE成長InSe単層膜への適用を進めている。