[8p-PB3-1~46] 17 ナノカーボン・二次元材料（ポスター）

[8p-PB3-38] Agを内包したVSe₂を用いた抵抗変化メモリの開発

〇西埜植 亮汰¹、中村 優太¹、稲田 貢¹、上野 啓司²、山本 真人¹ (1.関西大院理工、2.埼玉大院理工)

キーワード：

抵抗変化メモリ、バナジウム酸化物、2セレン化バナジウム