講演情報
[8p-PB3-39]2層MoS2におけるバレーホール効果による非局所電圧の温度依存特性
〇小林 尊1、中村 優友1、中山 祐輔1、クリューガー ピーター1、フェリー デイビッド2、バード ジョナサン1,3、青木 伸之1 (1.千葉大物質、2.アリゾナ州立大、3.バッファロー大)
キーワード：
遷移金属ダイカルコゲナイド、バレーホール効果、非局所電圧
遷移金属ダイカルコゲナイドはバレー自由度を利用したバレートロニクス材料として注目されている。本研究では、空間反転対称性のため通常はバレーホール効果が生じないとされる2層MoS2に着目し、ホールバー型FETを作製して非局所電圧を測定した。その結果、非局所電圧は約70 Kで最小となり、40 K未満ではピーク分裂が観測された。これらの特異な挙動について、実験結果と理論計算の観点から考察した。