講演情報
[8p-PB3-4]リモートエピタキシャル成長のメカニズムのDFT計算による検討
〇(M1)三浦 淳司1、Seo Insung1、影島 博之1 (1.島根大院自然科学)
キーワード：
リモートエピタキシー、DFT計算、グラフェン
GaAs, GaNのような一部の元素半導体は1,2層のグラフェンを挟んでのリモートエピタキシャル成長が可能であることが知られている．しかし，そのメカニズムは未だ不明な点も多い．本研究では，実際の原子，分子間の相互作用は，静電気力だけでなく，量子力学的に決まっていることを考慮して，DFT計算を用いてリモートエピタキシャル成長の詳細なメカニズムを検討することを目的とする．