講演情報
[8p-PB3-6]CVD成長h-BNのサファイア基板面方位依存性
〇小笹 太誠1、原田 哲匡1、日比野 浩樹1 (1.関学大工)
キーワード：
六方晶窒化ホウ素
六方晶窒化ホウ素（h-BN）は、優れた絶縁性と化学的安定性を有し、2次元物質エレクトロニクスの誘電体や基板として注目されている。しかし、高品質なh-BNの大面積合成は依然として課題である。特に、絶縁基板上への直接成長技術の確立が求められている。本研究では、異なる面方位を有するサファイア基板上にh-BNを直接成長し、基板面方位がh-BNの構造特性に及ぼす影響を調査した。