講演情報
[8p-PB3-9]パーマロイ触媒を用いた強誘電体基板上へのh-BN直接成長
〇稲葉 巧人1、毛利 真一郎1、クドゥス アブドゥル2 (1.立命館大理工、2.立命館大R-GIRO)
キーワード：
h-BN、強誘電体、CVD
原子層材料を用いた強誘電デバイス応用へ向け、強誘電体基板上へのh-BN直接成長を試みた。強誘電材料であるニオブ酸リチウム（LN）基板上にパーマロイ（Ni-Fe合金）薄膜を触媒として形成し、アンモニアボランを前駆体としたCVD法により900 ℃でh-BNを成長させた。ラマン分光測定の結果、パーマロイ触媒領域において1370 cm-1付近にh-BNのE2gモード由来のピークが観測され、h-BNの存在が確認された。講演では、試料の微細構造評価結果およびNi触媒試料との比較について報告する。