[9a-A11-1~9] 6.3 酸化物エレクトロニクス

9:15 〜 9:30奨励賞エントリー

[9a-A11-2] 室温で金属絶縁体転移を示すα-Al₂O₃ (011 2) 基板上CrドープV₂O₃薄膜

〇(M1)藤原 穣成¹、大友 明¹、吉松 公平¹ (1.科学大物質理工)

キーワード：

遷移金属酸化物、金属絶縁体転移、V2O3

V₂O₃は低温反強磁性絶縁体(AFI)相、常磁性金属(PM)相および常磁性絶縁体(PI)相を示す。しかし、PM-PI転移は薄膜化で消失する。本研究では、α-Al₂O₃(0112)基板上に高結晶性シード層を導入した反応性固相合成法により0.5%CrドープV₂O₃薄膜を作製した。抵抗率測定で低温AFI–PM転移に加え、室温付近で約2倍の抵抗率変化を伴うPM–PI転移を観測したので報告する。