[9a-A21-1~11] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

9:00 〜 9:15奨励賞エントリー

[9a-A21-1] 絶縁膜堆積後水素熱処理温度がSiC MOS界面特性に与える効果

〇伊賀 智志¹、小林 拓真¹、原 征大¹、渡部 平司¹ (1.阪大院工)

キーワード：

半導体、SiC MOS構造、界面準位