[9a-A21-1~11] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

11:45 〜 12:00奨励賞エントリー

[9a-A21-11] SiC pチャネルフィンFETにおける移動度向上の実証

〇利光 汐音¹、籠島 瑛二²、藤原 広和²、三上 杏太¹、金子 光顕¹、木本 恒暢¹ (1.京大院工、2.株式会社ミライズテクノロジーズ)

キーワード：

炭化ケイ素、フィンFET、移動度

フィン幅(W_fin)71–558 nmのSiC pチャネルフィンFETを作製し、W_fin減少に伴う移動度向上を初めて実証した。オーバードライブ電圧15 Vにおける電界効果移動度はW_fin = 105 nmにおいて最大値10.8 cm²/Vsを示し、W_fin = 558 nmにおける約7.9 cm²/Vsの約1.4倍であった。移動度向上の原因を理解するために、チャネル内の正孔状態を理論的に解析した。正孔の界面からの平均距離に着目すると、W_fin = 80 nmで最大値約4.2 nmを示した。