[9a-A21-1~11] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

9:15 〜 9:30奨励賞エントリー

[9a-A21-2] 温度可変C-V測定による水素熱処理SiC MOS構造の界面特性評価

〇澤田 翔斗¹、小林 拓真¹、伊賀 智志¹、原 征大¹、渡部 平司¹ (1.大阪大学大学院)

キーワード：

SiO2/SiC 界面