[9a-A21-1~11] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

9:30 〜 9:45

[9a-A21-3] 同一窒化処理によるSiC n チャネル・p チャネルMOSFET の移動度向上

〇平岩 修弥¹、三上 杏太¹、金子 光顕¹、木本 恒暢¹ (1.京大院工)

キーワード：

SiC、MOSFET、移動度