[9a-A21-1~11] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

9:45 〜 10:00奨励賞エントリー

[9a-A21-4] SiN 成膜およびCO₂アニールで作製したSiC MIS構造の電気特性評価

〇(M2)糸井 久大^1,2、細井 卓治^1,2 (1.NIMS、2.関学大院理工)

キーワード：

半導体