[9a-A21-1~11] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

11:00 〜 11:15奨励賞エントリー

[9a-A21-8] ゲートACストレスによるnチャネルSiC MOSFETの負のしきい値電圧変動とチャネル長依存性

〇(M2)子安 葵¹、岩室 憲幸¹、矢野 裕司¹ (1.筑波大学)

キーワード：

SiC MOSFET、しきい値電圧変動、SiC/SiO2界面

従来、MOSFETのしきい値電圧の信頼性評価にはゲートDCストレスを用いた試験が一般的であった。しかし、SiC MOSFET特有の現象として、反転・蓄積を繰り返すゲート電圧により大きなしきい値電圧変動(ΔV_th)が起こることが報告され、近年ではゲートにACストレスを印加した際の変動:GSI(Gate Switching Instability)の研究が注目されている。従来のn-ch SiC MOSFETのGSIでは正のΔV_thに関する報告が多い。本研究では、チャネル長や窒化処理条件によって、負のΔV_thが見られることを報告する。