講演情報
[9a-A21-9]SiC MOSFETの出力容量における温度依存ヒステリシスに関する報告
〇西岡 大稀1、高山 創1、鐘ヶ江 一孝1、西中 浩之1、新谷 道広1 (1.京工繊大)
キーワード：
SiC MOSFET、出力容量、ヒステリシス
近年，SiC MOSFETの出力容量の充放電時にヒステリシスが現れることが報告され，酸化膜界面トラップの関与が示唆されているが、実態は未だ不透明である。本報告では、大信号のパルス波形に対し充放電される電荷の応答遅れを測定し、その温度特性を評価した。過渡応答波形の時定数から抽出した活性化エネルギーの値が先行研究の知見と一致することから，ゲート酸化膜界面欠陥がヒステリシスの主因である可能性を示した。