講演情報
[9a-A33-10]レーザー加工法を用いた二次元半導体薄膜トランジスタの開発
〇五十嵐 碧斗1,2、井村 諒介1,2、宇澤 拳太郎1,2、早川 竜馬1、岩﨑 拓哉1、渡邊 賢司1、谷口 尚1、三成 剛生1、宮田 耕充1、遠藤 尚彦1、森山 悟士1,2、若山 裕1,2 (1.物材機構、2.電機大)
キーワード：
MoS₂、レーザー加工、CVD成長
本研究ではレーザー加工とCVD成長を組み合わせた二次元デバイス作製手法の有効性を報告する。まずサファイア基板上にCVD成長したMoS₂薄膜を転写した後に、Nd:YAGレーザーにより長さと幅を規定したトランジスタチャネルを形成した。Ti/Au電極を接合して評価したところ、ON/OFF比10⁶、SS値145 mV/decの良好なn型トランジスタ特性を確認した。