セッション詳細

[9a-A33-1~13]17.3 応用技術

2026年9月9日(水) 9:00 〜 12:30
A33 (情報研究棟)

[9a-A33-1]ロボット技術支援による自動二次元半導体ヘテロ構造作製

〇岸田 陸史1、出原 渉1、渡邊 賢司2、谷口 尚2、俣野 眞一朗1、松田 一成1 (1.京大エネ研、2.物質・材料研究機構)

[9a-A33-2]コンタクト金属誘起引張歪みによるMoS2局所チャネル移動度186 cm2/Vsへの向上

〇渥美 圭脩1、西村 知紀1、金橋 魁利1、佐久間 芳樹2、長汐 晃輔1 (1.東京大学、2.国立研究開発法人物質・材料研究機構)

[9a-A33-3]短チャネルFET集積化に向けたコンタクト金属誘起引張歪みによるMoS2の伝導度向上

〇渥美 圭脩1、西村 知紀1、金橋 魁利1、岡田 直也2、入沢 寿史2、佐久間 芳樹3、長汐 晃輔1 (1.東京大学、2.産総研、3.NIMS)

[9a-A33-4]Nb ポストドープ単層 WSe2の Se 雰囲気活性化アニールによる Mirror Twin Boundary 低減と縮退 p 型 FET 動作

〇田中 一樹1、西村 知紀1、金橋 魁利1、中嶋 まい2、掛谷 尚史2、麻生 浩平2、大島 義文2、榊原 涼太郎3、宮田 耕充3、喜多 浩之1、長汐 晃輔1 (1.東大、2.JAIST、3.NIMS)

[9a-A33-5]ReポストドーピングによるMoS2の高濃度n型原子置換

〇山口 真徳1、田中 一樹2、金橋 魁利1、西村 知紀1、中嶋 まい3、麻生 浩平3、大島 義文3、佐久間 芳樹4、長汐 晃輔1 (1.東大マテ工、2.東大新領域、3.JAIST、4.NIMS)

[9a-A33-6]グラフェンを用いた極薄ゲート金属層の実現可能性の検討

〇野口 裕士1、瀬戸 大暉1、柯 梦南2、熊谷 翔平3、岡本 敏宏3、青木 伸之1 (1.千葉大物質、2.横国大電気、3.科学大物質)

[9a-A33-7]CFETデバイス応用に向けたF6-TCNNQ単層を介したn型MoS2 MOSFETの閾値電圧制御および絶縁膜原子層堆積

〇瀬戸 大暉1、野口 裕士1、松田 健生1、柯 梦南2、熊谷 翔平3、岡本 敏宏3、青木 伸之1 (1.千葉大物質、2.横国大電気、3.東京科学大物質)

[9a-A33-8]グラフェン/MoTe2/グラフェン縦型ヘテロ構造におけるゲート変調可能な閾値スイッチング現象の観測

〇(D)宇澤 拳太郎1,2、小林 圭輔1,2、早川 竜馬2、岩﨑 拓哉2、渡邊 賢司2、谷口 尚2、若山 裕1,2、森山 悟士1,2 (1.東京電機大、2.NIMS)

[9a-A33-9]TMDCチャネルトランジスタ向けシリサイドコンタクト形成技術の検討

〇谷川 哲彦1,2、張 文馨1、西野 隆太郎1、入沢 寿史1、岡田 直也1 (1.産総研 SFRC、2.日大理工)

[9a-A33-10]レーザー加工法を用いた二次元半導体薄膜トランジスタの開発

〇五十嵐 碧斗1,2、井村 諒介1,2、宇澤 拳太郎1,2、早川 竜馬1、岩﨑 拓哉1、渡邊 賢司1、谷口 尚1、三成 剛生1、宮田 耕充1、遠藤 尚彦1、森山 悟士1,2、若山 裕1,2 (1.物材機構、2.電機大)

[9a-A33-11]単層MOS2における光変調電流のガス雰囲気依存性

〇(M2)徳田 幸晟1、毎田 修1、田畑 博史1 (1.阪大院工)

[9a-A33-12]原子層発光デバイスの歪みエンジニアリングによる円偏光発光制御

〇北村 天太1、吉田 悠人1、遠藤 尚彦2、丸山 実那3、高 燕林3、岡田 晋3、鈴木 弘朗4、林 靖彦4、宮田 耕充2、藤井 瞬5、欧 昊1、蒲 江1 (1.科学大理、2.NIMS、3.筑波大数理、4.岡大環境自然、5.慶應大理工)

[9a-A33-13]イオンゲルを用いたファンデルワールスヘテロ構造トンネル発光デバイス

〇平松 奏人1、北村 天太1、于 沛杉1、遠藤 尚彦2、渡邊 賢司3、谷口 尚2、宮田 耕充2、欧 昊1、蒲 江1 (1.科学大理、2.NIMS-MANA、3.NIMS-EOM)