講演情報
[9a-A33-12]原子層発光デバイスの歪みエンジニアリングによる円偏光発光制御
〇北村 天太1、吉田 悠人1、遠藤 尚彦2、丸山 実那3、高 燕林3、岡田 晋3、鈴木 弘朗4、林 靖彦4、宮田 耕充2、藤井 瞬5、欧 昊1、蒲 江1 (1.科学大理、2.NIMS、3.筑波大数理、4.岡大環境自然、5.慶應大理工)
キーワード：
遷移金属ダイカルコゲナイト、円偏光発光デバイス、歪エンジニアリング
単層遷移金属ダイカルコゲナイドは、歪みによる対称性制御と円偏光操作の原理が提唱されているが、従来手法には汎用性に課題があり、実験・理論の両面から十分な検証がなされていない。そこで本研究では、Si/SiO2基板上に局所歪みを導入したデバイスを作製し、両者の相関を解明した。結果、電極段差により約2%の歪みを印加し、約20%の偏極率と電圧による分極反転を実現し、汎用性の高い円偏光発光デバイスを確立した。