講演情報
[9a-A33-13]イオンゲルを用いたファンデルワールスヘテロ構造トンネル発光デバイス
〇平松 奏人1、北村 天太1、于 沛杉1、遠藤 尚彦2、渡邊 賢司3、谷口 尚2、宮田 耕充2、欧 昊1、蒲 江1 (1.科学大理、2.NIMS-MANA、3.NIMS-EOM)
キーワード：
遷移金属ダイカルコゲナイド、ヘテロ構造
原子層材料からなるファンデルワールスヘテロ構造にイオンゲルを導入し、キャリアドーピングとhBNを介したトンネル注入を同時に制御する二端子ELデバイスを提案した。低電圧でトンネル電流を観測するとともに、室温で積層面に広がる明瞭な発光を実現した。さらに、界面電場を考慮したFowler–Nordheim解析から、電位制御によるトンネル障壁の実効的低減を示した。