講演情報
[9a-A33-2]コンタクト金属誘起引張歪みによるMoS2局所チャネル移動度186 cm2/Vsへの向上
〇渥美 圭脩1、西村 知紀1、金橋 魁利1、佐久間 芳樹2、長汐 晃輔1 (1.東京大学、2.国立研究開発法人物質・材料研究機構)
キーワード：
MOCVD、移動度、歪み
2次元材料FETは、金属蒸着に伴う熱履歴により、チャネル内に容易に引張歪みが印加される。単層MoS2の場合、引張歪みにより電子の有効質量は低下するため、チャネル移動度の向上が期待される。しかし実験的には、コンタクト誘起歪みによるデバイス特性向上の要因は、2端子測定に基づきショットキー障壁変調の観点からのみ議論されてきた。
本発表では、MOCVD成長した単結晶MoS2により多端子デバイスを作製し、コンタクト金属近傍に配置した電圧端子を用い最大186 cm2/Vsの4端子移動度を観測した。コンタクト誘起歪みの活用により、2次元材料FETのさらなる特性向上が期待される。
本発表では、MOCVD成長した単結晶MoS2により多端子デバイスを作製し、コンタクト金属近傍に配置した電圧端子を用い最大186 cm2/Vsの4端子移動度を観測した。コンタクト誘起歪みの活用により、2次元材料FETのさらなる特性向上が期待される。