講演情報
[9a-A33-3]短チャネルFET集積化に向けたコンタクト金属誘起引張歪みによるMoS2の伝導度向上
〇渥美 圭脩1、西村 知紀1、金橋 魁利1、岡田 直也2、入沢 寿史2、佐久間 芳樹3、長汐 晃輔1 (1.東京大学、2.産総研、3.NIMS)
キーワード：
短チャネル、TLM、伝導度
MOCVD法は，ウェハスケールでの均一なTMDC合成が可能な手法である．我々はMOCVD成膜した単結晶MoS2膜を用い，コンタクト誘起引張歪みによる最大186 cm2/Vsの局所4端子移動度の向上を観測した．サブマイクロメートルのLchにおいては，より強いコンタクト誘起歪みの印加による伝導度の向上が期待される．本研究では，短Lch領域におけるチャネル伝導度σchの向上を評価した．