講演情報
[9a-A33-4]Nb ポストドープ単層 WSe2の Se 雰囲気活性化アニールによる Mirror Twin Boundary 低減と縮退 p 型 FET 動作
〇田中 一樹1、西村 知紀1、金橋 魁利1、中嶋 まい2、掛谷 尚史2、麻生 浩平2、大島 義文2、榊原 涼太郎3、宮田 耕充3、喜多 浩之1、長汐 晃輔1 (1.東大、2.JAIST、3.NIMS)
キーワード：
二次元材料、TMDC、ドーピング
単層WSe2の低抵抗コンタクト形成には縮退p型ドープが重要だが、Nbポストドープでは正孔供給を妨げるMTBループが課題となる。本講演では、約9%のNb導入後に800 ℃のSe雰囲気アニールを行い、MTB低減とRamanピーク回復を確認した。さらにFETでオーミック特性と温度依存性の小さい輸送を示し、縮退p型動作を実証した。