講演情報
[9a-A33-7]CFETデバイス応用に向けたF6-TCNNQ単層を介したn型MoS2 MOSFETの閾値電圧制御および絶縁膜原子層堆積
〇瀬戸 大暉1、野口 裕士1、松田 健生1、柯 梦南2、熊谷 翔平3、岡本 敏宏3、青木 伸之1 (1.千葉大物質、2.横国大電気、3.東京科学大物質)
キーワード：
CFET、TMDC、F6TCNNQ
TMDCは短チャネル効果に強く高集積化が期待されるが，安定なドーピング技術は未確立である．先行研究ではWSe2上のF6-TCNNQによりp型ドーピングとAl2O3堆積が実現されたが，ALDに起因する特性の劣化も確認された．本研究ではMoS2にF6-TCNNQを適用し，プロセス各段階の電気特性を評価した．さらに，その結果に基づきMoS2-nMOSを下層に配置したCFET構造を設計した.