[9a-B11-1~14] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

9:00 〜 9:15

[9a-B11-1] FZ法を用いたCu添加β-Ga₂O₃結晶の育成および原料棒焼結温度の検討

〇(M1)臼井 颯志¹、長尾 雅則¹、丸山 祐樹¹、綿打 敏司¹ (1.山梨大)

キーワード：

酸化物半導体、浮遊帯域溶融法、酸化ガリウム

本研究では，FZ法を用いてCu添加β-Ga₂O₃バルク結晶の育成を行い，原料棒の焼結温度条件を検討した．3.0 at%Cu添加試料では，1450℃焼結原料棒は不均一な着色により結晶育成が不安定となった．一方，1200～1300℃で焼結した原料棒では溶融帯の形成・維持が安定し，良好な結晶育成が可能であった．SEM観察の結果，結晶中へのCu固溶量は極めて少なく，異相の生成は確認されなかった．