セッション詳細
[9a-B11-1~14]21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」
2026年9月9日(水) 9:00 〜 12:45
B11 (工学部 B棟)
[9a-B11-1]FZ法を用いたCu添加β-Ga2O3結晶の育成および原料棒焼結温度の検討
〇(M1)臼井 颯志1、長尾 雅則1、丸山 祐樹1、綿打 敏司1 (1.山梨大)
[9a-B11-2]浮遊帯域溶融法を用いたAl添加β-Ga2O3単結晶の育成
〇穴井 和音1、長尾 雅則1、綿打 敏司1、丸山 祐樹1 (1.山梨大)
[9a-B11-3]CZ-Ga2O3単結晶成長時における結晶内温度・応力・転位分布３次元解析
〇柿本 浩一1、富田 健稔2、Vladimir Kochurikhin2、北原 正典2、鎌田 圭2,1、村上 力輝斗1、中野 智3、姚 永昭4、吉川 彰1,2 (1.東北大 NICHe、2.㈱C & A、3.九大 応力研、4.三重大)
[9a-B11-4]OCCC 法における融液サイズup によるβ-Ga2O3 のバルク結晶成長
〇富田 健稔1,2、カチューリキン ヴラディミール2、グシチナ リウドミラ2、北原 正典1,2,4、村上 力輝斗3、鎌田 圭3,1,2、姚 永昭5、柿本 浩一3、吉川 彰1,2,3,4 (1.FOX、2.C&A、3.東北大NICHe、4.東北大金研、5.三重大)
[9a-B11-5]OCCC法を用いた 3インチサイズβ-Ga2O3結晶成長およびその評価
〇北原 正典1,2,3、Kochurikhin Vladimir3、Liudmila Gushchina3、富田 健稔2,3、村上 力輝斗4、庄子 育宏2、鎌田 圭2、柿本 浩一4、姚 永昭5、吉川 彰1,2,3,4 (1.東北大学金研、2.株式会社FOX、3.株式会社C&A、4.東北大学NICHe、5.三重大)
[9a-B11-6]OCCC法β-Ga2O3結晶における品質評価と転位構造観察
〇姚 永昭1,2、水野 公貴1、大西 一生1、石川 由加里2、北原 正典3,4、富田 健稔3、村上 力輝斗4、Kochurikhin Vladimir3、Gushchina Liudmila3、鎌田 圭3,5、柿本 浩一5、吉川 彰3,4,5 (1.三重大、2.JFCC、3.C&A、4.東北大金研、5.東北大NICHe)
[9a-B11-7][第60回講演奨励賞受賞記念講演] EFG法によるβ-Ga2O3単結晶育成の課題と今後の展望
〇長谷川 将1、輿 公祥1、上田 悠貴1、佐々木 公平1、阪口 良一1、坂本 伊佐雄1、小西 敬太1、水井 誠1、山岡 優1、渡辺 信也1、倉又 朗人1 (1.NCT)
[9a-B11-8]原料供給型引き下げEFG法による4インチβ-Ga2O3結晶育成の実証
〇上田 悠貴1、輿 公祥1、長谷川 将1、佐々木 公平1、倉又 朗人1 (1.ノベルクリスタルテクノロジー)
[9a-B11-9]放射光X線トポ・トモグラフィーを用いたβ型Ga2O3結晶中の格子欠陥三次元可視化（その2）
〇姚 永昭1,2、勝部 大樹2、山口 博隆2、山口 慎也3、脇本 大樹3、宮本 広信3、石川 由加里2 (1.三重大、2.JFCC、3.ノベルクリスタルテクノロジー)
[9a-B11-10](011)面垂直ブリッジマン法β-Ga2O3基板中の転位観察
〇姚 永昭1,2、勝部 大樹2、山口 博隆2、石川 由加里2 (1.三重大、2.JFCC)
[9a-B11-11]X線フィルムを用いたβ-Ga2O3(001)基板のX線トポグラフィ画像処理に関する検討
〇勝部 大樹1、清水 幹幸2、大橋 良央2、姚 永昭1,3、山口 博隆1、横江 大作1、石川 由加里1 (1.ファインセラミックスセンター、2.豊田通商、3.三重大)
[9a-B11-12]高精度EBSD解析手法を用いたβ-Ga2O3ホモエピ膜の結晶性評価
〇横江 大作1、姚 永昭1,2、清水 真紀1、石川 由加里1 (1.ファインセラミックスセンター、2.三重大学)
[9a-B11-13]位相差顕微鏡の β-Ga₂O₃ ナノスケール表面欠陥の回折限界以下検出
〇石川 由加里1、佐藤 功二1 (1.JFCC)
[9a-B11-14]MOCVD法による酸化ガリウム150 mmエピウエハの実現
〇LiudiMulyo Andreas1、ラオ バダリ ナラヤナ1、清水 裕大2、徳永 裕樹2、池尻 圭太郎2、林 家弘1、佐々木 公平1、倉又 朗人1 (1.（株）ノベルクリスタルテクノロジー、2.日本酸素（株）)