[9a-B11-1~14] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

12:30 〜 12:45

[9a-B11-14] MOCVD法による酸化ガリウム150 mmエピウエハの実現

〇LiudiMulyo Andreas¹、ラオ バダリ ナラヤナ¹、清水 裕大²、徳永 裕樹²、池尻 圭太郎²、林 家弘¹、佐々木 公平¹、倉又 朗人¹ (1.（株）ノベルクリスタルテクノロジー、2.日本酸素（株）)

キーワード：

半導体、酸化ガリウム、有機金属気相成長法

超ワイドバンドギャップ半導体β-Ga₂O₃の大口径化に向け、MOCVD法による150 mmウェハ上へのホモエピタキシャル成長を実証した。得られたエピウェハは鏡面状態を示し、平均膜厚5.3 μm、膜厚ばらつき1.3%と、150 mm全面で優れた膜厚均一性を達成した。