[9a-B11-1~14] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

9:15 〜 9:30

[9a-B11-2] 浮遊帯域溶融法を用いたAl添加β-Ga₂O₃単結晶の育成

〇穴井 和音¹、長尾 雅則¹、綿打 敏司¹、丸山 祐樹¹ (1.山梨大)

キーワード：

酸化ガリウム、結晶成長

β-Ga₂O₃のパワーデバイス実装時の課題である，熱伝導率改善を目的としたAl添加β-Ga₂O₃単結晶を，浮遊帯域溶融法により育成した．Al仕込み組成が60 at%を上回ると相分離が生じ，50 at%以下ではβ-Ga₂O₃に固溶することが示唆された．また，種結晶を用いて，育成方位を制御したAl添加β-Ga₂O₃単結晶を育成した．その熱伝導率異方性を評価し，講演会で発表する．