[9a-B11-1~14] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

9:30 〜 9:45

[9a-B11-3] CZ-Ga₂O₃単結晶成長時における結晶内温度・応力・転位分布３次元解析

〇柿本 浩一¹、富田 健稔²、Vladimir Kochurikhin²、北原 正典²、鎌田 圭^2,1、村上 力輝斗¹、中野 智³、姚 永昭⁴、吉川 彰^1,2 (1.東北大 NICHe、2.㈱C & A、3.九大　応力研、4.三重大)

キーワード：

半導体、Ga2O3、シミュレーション

パワーデバイス用結晶として注目を浴びているGa₂O₃酸化物単結晶は、結晶形状や 欠陥分布のさらなる高精度制御が求められている。β-Ga₂O₃結晶中の応力と転位は、デバイス特 性の劣化の観点からその分布を制御する必要がある。本報告では、CZ法で育成中の結晶内の温度、 応力、転位密度分布を、3次元解析法を用いて解析した。