講演情報
[9a-B11-5]OCCC法を用いた 3インチサイズβ-Ga2O3結晶成長およびその評価
〇北原 正典1,2,3、Kochurikhin Vladimir3、Liudmila Gushchina3、富田 健稔2,3、村上 力輝斗4、庄子 育宏2、鎌田 圭2、柿本 浩一4、姚 永昭5、吉川 彰1,2,3,4 (1.東北大学金研、2.株式会社FOX、3.株式会社C&A、4.東北大学NICHe、5.三重大)
キーワード：
酸化ガリウム、半導体、結晶
基板大型化を目的として、OCCC法により直径150 mmの水冷式バスケットを用い、高純度β-Ga2O3原料から結晶成長を行った。最大3インチ級の単結晶育成に複数成功し、得られた結晶はロッキングカーブマッピングにより全域で良好な結晶性を示した。3インチ結晶の詳細な特性評価および物性については当日報告する。