講演情報

10:30 〜 10:45

[9a-E215-6]ビニルシラン熱CVD法によるCNTフォレスト内部への均一SiC成膜

〇(B)王家錦¹、大島直人¹、上原賢一^2,3、中井康夫⁴、福地直也⁴、安原重雄³、竹内和歌奈¹ (1.愛知工大、2.東北大、3.株式会社ジャパン・アドバンスト・ケミカルズ、4.高圧ガス工業株式会社)

カーボンナノチューブ、炭化ケイ素、熱化学気相成長