[9a-E215-1~10] 17.1 成長・成膜・構造制御

10:30 〜 10:45

[9a-E215-6] ビニルシラン熱CVD法によるCNTフォレスト内部への均一SiC成膜

〇(B)王 家錦¹、大島 直人¹、上原 賢一^2,3、中井 康夫⁴、福地 直也⁴、安原 重雄³、竹内 和歌奈¹ (1.愛知工大、2.東北大、3.株式会社ジャパン・アドバンスト・ケミカルズ、4.高圧ガス工業株式会社)

キーワード：

カーボンナノチューブ、炭化ケイ素、熱化学気相成長