[9a-E218-1~10] 13.8 光物性・発光デバイス

9:00 〜 9:15奨励賞エントリー

[9a-E218-1] Siドーピングした遠赤色蛍光体Zn(Ga, In)₂O₄:Cr³⁺導電性薄膜

〇(M2)丸山 美輔^1,2、杉本 彪瑠^1,3、山本 健幹^1,2、阿部 友紀^1,3、大観 光徳^1,2 (1.鳥取大工、2.電子物理工学研究室、3.光半導体工学研究室)

キーワード：

ZnGa₂O₄:Cr³⁺、蛍光体、薄膜

我々は植物育成用照明としての応用を目的として700nm付近で遠赤色発光を示すZnGa₂O₄：Cr³⁺に着目している。In添加により粉末試料，薄膜試料ともに発光特性の改善が見られたが，薄膜試料の導電性は確認できなかった。そこで我々は薄膜試料の導電性向上のため，元々のInに加えてドナーとなり得るSiを添加し，薄膜試料の導電性の発現を目指した。