2026年第87回応用物理学会秋季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)13 半導体：13.8 光物性・発光デバイス

[9a-E218-1~10]13.8 光物性・発光デバイス

2026年9月9日(水) 9:00 〜 11:45
E218 (総合教育棟 E棟)
9:00 〜 9:15奨励賞エントリー

[9a-E218-1]Siドーピングした遠赤色蛍光体Zn(Ga, In)2O4:Cr3+導電性薄膜

〇(M2)丸山 美輔1,2、杉本 彪瑠1,3、山本 健幹1,2、阿部 友紀1,3、大観 光徳1,2 (1.鳥取大工、2.電子物理工学研究室、3.光半導体工学研究室)
9:15 〜 9:30奨励賞エントリー

[9a-E218-2]Cr2O3-Na2O-CaO-GeO2系近赤外結晶化蛍光ガラスに対する活性炭添加の影響

〇鈴川 萌1、七井 靖1、下野 聖矢2、北沢 信章1 (1.防衛大、2.JASRI)
9:30 〜 9:45奨励賞エントリー

[9a-E218-3]Sr2MgSi2O7:Eu,Dy蛍光体におけるBe置換が発光特性に及ぼす影響

〇(DC)上川 純平1、大滝 歩夢2、藤間 信久1,2、小南 裕子1,2、原 和彦1,2,3 (1.静岡大創造院、2.静岡大総合科技、3.静岡大電研)
9:45 〜 10:00

[9a-E218-4]希土類イオン賦活ストロンチウムアルミネート系赤外発光蛍光体の発光特性

〇小原 裕太1、中村 俊博1 (1.法政大院理工)
10:00 〜 10:15

[9a-E218-5]LaBSiO5:Ln蛍光体の偏光発光特性

〇木崎 和郎1、唐 浩一1、鐘ヶ江 児太郎1、尾松 孝茂2,3,1,4、小野 円佳1 (1.東北大、2.セレンディップ研究所、3.国立陽明交通大、4.大阪公大)
10:30 〜 10:45

[9a-E218-6]多孔質Siの超音波破砕による水分散性Si量子ドットの作製

〇常山 純平1、佐々木 翔太1、内藤 優太1、越田 信義1,2、中村 俊博1 (1.法政大学理工、2.東京農工大)
10:45 〜 11:00

[9a-E218-7]多孔質Siの化学エッチングアシスト破砕によるSi量子ドット作製

〇佐々木 翔汰1、越田 信義1,2、中村 俊博1 (1.法政大学院理工、2.東京農工大)
11:00 〜 11:15

[9a-E218-8]多孔質Siの化学エッチングアシスト破砕を用いたSi量子ドットの作製とゲル浸透クロマトグラフィー法による発光色制御

〇後本 恵梨葉1、佐々木 翔汰1、越田 信義1,2、中村 俊博1 (1.法政大学理工、2.東京農工大)
11:15 〜 11:30

[9a-E218-9]ラジカル開始剤添加による緑色発光Si量子ドットコロイドの発光安定性の向上に関する研究

〇小川 諒馬1、越田 信義1,2、中村 俊博1 (1.法政大院理工、2.東京農工大)
11:30 〜 11:45

[9a-E218-10]酸化還元メディエーター添加マルチカラーSi量子ドット電気化学発光デバイスの作製

〇田中 陸翔1、越田 信義2、笠原 崇史1、中村 俊博1 (1.法政大院理工、2.東京農工大)
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